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Memristor

  • Ano: 2019
  • Titulo Original: Memristor device fabricated from doped graphene oxide
  • Evento: LASCAS
  • Organização: IEEE
  • Autores: Marina Sparvoli, Jonas Marma, Gabriel Zucchi, Mario Gazziro
  • Anexos:
    Artigo
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RESUMO: A comutação resistiva (RS) é o fenômeno básico para operação de memória resistiva ReRAM. Uma tensão elétrica especifica é aplicada no dispositivo MIM (metal-isolante-metal), causando comutação de seu isolador a partir de seu estado iniical de resistência (HRS - estado de alta resistência) para um estado de baoxa resistência (LRS). Existe uma forte relação entre os materiais utilizados na composição desses dispositivos e suas características. Neste trabalho 'memória resistiva baseada em grafeno dopado com óxido de prata' foi caracterizada sua resposta de tensão variando conforme função da tensão obtida. SET e RESET são causados ​​por as reações redox da camada de óxido de grafeno na interface entre eletrodos. Defeitos como vagas de oxigênio em material óxido desempenham um papel fundamental para a comutação resistiva. Há outro fator que podem influenciar a operação deste dispositivo e limite comutação: a prata presente na composição do óxido de grafeno pode interferir na formação do filamento. Em resumo, a resistência o comportamento de comutação do dispositivo rGO+0,1%Ag/GO+1%Ag/Al foi investigado, que revela características elétricas e tensões SET/RESET. Além disso, uma mudança de limite característica é revelada.

ABSTRACT: Resistive switching (RS) is the basic phenomenon for the operation of resistive memory ReRAM. A specific electrical voltage is applied in the MIM (metal-insulator-metal) device, it can undergo switching from its initial insulator resistance state (HRS - high resistance state) to a low resistance state (LRS). There is a strong relationship between the materials used in the composition of these devices and their characteristics. In this work, resistive memory based on silver-doped graphene oxide was characterized and its voltage response varying as a function of voltage was obtained. SET and RESET are caused by the redox reactions of graphene oxide layer at the interface between electrodes. Defects as oxygen vacancies in oxide material play a key role for the resistive switching. There is another factor that can influence the operation of this device and threshold switching: silver present in the graphene oxide composition could interfere with the filament formation. In summary, the resistive switching behavior of rGO+0.1%Ag/GO+1%Ag/Al device was investigated, which reveals electric characteristics and SET/RESET voltages. In addition, a threshold switching characteristic is revealed.