ReRAM

• Ano: 2017-2020
• Titulo Original: Development of Doped Graphene Oxide Resistive Memories for Applications Based on Neuromorphic Computing
• Eventos: LASCAS / IWANN
• Organização: IEEE / Springer
• Autores: Marina Sparvoli, Mauro Silva, Lucas G. Silvestre, Mario Gazziro
• Anexos:

  Artigo 1	Artigo 2	Artigo 3

RESUMO: Memória resistiva de acesso aleatório ReRAM tem atraído grande atenção devido ao seu potencial para substituição de memória flash em aplicações de memória não volátil de próxima geração. Dentre as principais características desse tipo de memória, temos: baixo consumo de energia, comutação em alta velocidade, durabilidade, escalabilidade e processo de fabricação amigável. Este dispositivo é baseado no fenômeno de comutação resistiva para operação, que é reversível e pode ser reproduzido repetidamente. Neste trabalho são desenvolvidos oito dispositivos diferentes e a fabricação é feita da seguinte forma: filmes finos são obtidos pela técnica de dip coat. O aparelho de revestimento por imersão consiste basicamente em uma pinça que segura o substrato mergulhado em uma solução GO (óxido de grafeno) que contém dopante (cobre, ferro ou prata) ou CuO (óxido de cobre). ITO (óxido de índio e estanho) e contatos de alumínio foram evaporados. Os dispositivos foram desenvolvidos com o propósito: a intenção é registrar e ler informações de forma dinâmica com algoritmo apropriado. Existe ainda a possibilidade de armazenar imagens. Com essas funções seria promissor entrar na área da computação neuromórfica que é uma das aplicações de memória resistiva. O advento da tecnologia ReRAM representa uma mudança de paradigma para redes neurais artificiais, sendo o melhor candidato para emulação de plasticidade sináptica e modo de aprendizagem.

ABSTRACT: Resistive random access memory ReRAM has attracted great attention due to its potential for flash memory replacement in next generation nonvolatile memory applications. Among the main characteristics of this type of memory, we have: low energy consumption, high-speed switching, durability, scalability and friendly manufacturing process. This device is based on resistive switching phenomenon for operation, which is reversible and can be played back repeatedly. In this work, eight different devices are developed and fabrication is made as follows: thin films are obtained by dip coating technique. The dip coating apparatus basically consists of a clamp which holds the substrate is dipped in a GO solution (graphene oxide) which containing dopant (cupper, iron or silver) or CuO (copper oxide). ITO (indium tin oxide) and aluminum contacts were evaporated. The devices were developed with purpose: intention is record and read information dynamically with appropriate algorithm. There is even the possibility of storing images. With these functions, it would be promising to enter the neuromorphic computing area that is one of the resistive memory applications. ReRAM technology advent represents a paradigm shift for artificial neural networks, being the best candidate for emulation of synaptic plasticity and learning mode.